HJT给我的感觉，和之前的储能有点像
主线之下的新支线
千倍增量的市场想象空间
就是今天市场情绪太好了，明天早盘也不好买
等一下分歧吧
关注的股票池：爱康科技、帝科股份、京山轻机、株冶集团、隆华科技
HJT 电池：产业化临近、规划产能超 60GW，将取代 PERC 成为第 三代电池片技术
晶体硅异质结太阳电池（HJT）是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，它综合了晶体硅电池 与薄膜电池的优势，具有转换效率高、工艺温度低、稳定性高、衰减率低、双面发 电等优点，技术具有颠覆性。
对比 PERC 电池，HJT 潜力巨大，将成为第三代电池片技术主流。据我们综合测算， HJT 在 25 年全生命周期综合发电量较 PERC 高 15%-20%。
1) 转换效率更优：HJT 效率潜力超 28%，远高 PERC 电池。受 P 型单晶电池自身材 料的限制，PERC 电池转换效率已接近天花板，而 HJT 最高转换效率已超 26%（日 本 Kaneka 曾创 26.63%，国内最高为汉能的 25.1%），长期有望超 28%，效率优 势明显。
2) 工艺流程更简化，降本空间更大：HJT 为低温工艺，在硅片成本（利于薄片化 和减少热损伤）和非硅成本（燃料能源节约）上均更优。同时，HJT 只需 4 道 工艺，相比 PERC（8 道工艺）和 TOPCon（9-12 道工艺）成本更低。
3) 光致衰减更低：HJT 电池 10 年衰减率小于 3%，25 年发电量下降仅为 8%，衰减 速度远低于 PERC 及 TOPCon 电池。
4) 低温系数、稳定性高：在 82 摄氏度环境下，HJT 光电转换效率比传统组件高出 13%。
5) 双面率更高：HJT 为双面对称结构，双面率有望提升至 93-98%（PERC 和 TOPCon 均在 80%附近，但很难再提升），可获得 10%以上的年发电量增益。
回顾历史：异质结（HJT）电池最早由日本的三洋（Sanyo）公司于 1990 年研发，专 利保护于 2010 年过期。在过去 30 年间，产业经历了萌芽期、实验室阶段、初步的 商业化阶段和逐步的产业化阶段。
据不完全统计，目前 HJT 国内规划产能超 60GW，新老电池片厂商均有开始布局。安 徽华晟（500MW 量产线）、明阳智能（5GW 规划）、金刚玻璃（1.2GW 规划）、爱康科技 （3.4GW 招标规划）、润阳集团（5GW 规划）等已纷纷开始布局，历史包袱较轻。传 统电池片厂商中，通威股份（金堂 1GW 量产线）、晶澳科技、东方日升、阿特斯、天合光能等 也已相继进入，加速从 PERC 向 HJT 的转型。
展望未来：预计 2020-2021 年将成为 HJT 投资元年，行业扩产规模将达到 10-15GW。随着设备国产化、银浆和靶材成本的降低、以及转换效率提升带来的“增效+降本” 效益凸显，2022 年行业将进入快速爆发阶段、扩产规模有望达 30GW 以上。
3.2.
HJT 设备：多技术路线“百花齐放”，国产设备厂将强力推动产业化 进程
HJT 4 大工艺步骤：制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO 制备、电极制备，对应的设备 分别为清洗制绒设备、PECVD 设备、PVD/RPD 设备、丝网印刷设备,在设备投资额占 比分别约 10%、50%、25%和 15%。
1）制绒设备：主要是利用化学制剂对硅片进行清洗和表面结构化，核心设备是湿式化学清洗设备。
主要厂商：日本 YAC、德国 Singulus、德国 RENA。捷佳伟创的清洗设备已完成样机并交付。
2） PECVD（非晶硅薄膜沉积）：该步骤取代了传统 PERC 工艺中的扩散工艺，是构造异 质结结构的关键，难度、壁垒最高，价值占到全部设备的 50%，为异质结设备的核 心。 从技术路径上：板式 PECVD 是目前主流，管式 PECVD、Cat-CVD 具潜力。国外厂商 包括：梅耶博格（已不对外提供）、应用材料等。国内厂商包括：迈为股份、金辰股份、捷佳伟创、理想能源、钧石能源等。
板式 PECVD：将多片硅片放置在一个石墨或碳纤维支架上，放入一个金属的沉积 腔室中，腔室中有平板型的电极，与样品支架形成一个放电回路，在腔室中的工 艺气体在两个极板之间的交流电长的作用下在空间形成等离子体，分解 SiH4 中的 Si 和 H，以及 NH3 中的 N 形成 SiNx 沉积到硅表面。优势：技术最成熟，易实现大 面积均匀性，材料缺陷态密度低。
管式 PECVD：使用像扩散炉管一样的石英管作为沉积腔室，使用电阻炉作为加热 体，将一个可以放置多篇硅片的石墨舟插进石英管中进行沉积。优势：相比板式 PECVD，成本端有更大的下降空间。
CAT-CVD：源气体分子在真空室中通过加热的催化剂进行催化裂化反应分解，并将 裂解的物质输送到基材上形成薄膜。优势：相比传统 PECVD，转换效率提升潜力 大，对于源气体的利用率在 80%以上。且 Cat-CVD 理论上可在热丝两侧同时沉积， 生产速度更快。
3）TCO 薄膜设备-PVD/RPD：技术壁垒低于 PECVD，主要包括 RPD 和 PVD 两种的技术 路径设备。目前主流技术路线是用 PVD（物理气相沉淀），相较于 PVD，RPD 的效率和 质量更高，但是受制于日本住友公司对设备和靶材的垄断，成本较高。
国外厂商包括：瑞士 Meyerburger、德国 Vonardenne、德国 Singulus、日本住友等。
国内厂商包括：迈为股份 PVD（MUP8K）设备已达到 8000 片/小时产能。捷佳伟创通过与日本住友合作也具备了 RPD 设备的供应能力，工艺成熟，并推出了 PAR （RPD+PVD）二合一设备、在转换效率和成本端取得平衡。钧石能源、理想万里晖均有 PVD 设备布局。
4）丝网印刷机：包括丝网印刷（包括丝网印刷机，烧结炉，分选机）和电镀铜电极 两种技术路线，目前以丝网印刷为主流。电镀铜电极相较而言更便宜，但是工序较 多、工艺复杂、有废水处理难等问题，目前参与厂商较少。
国外厂商包括 Baccini（AMAT 的子公司）等。
国内厂商：迈为股份占主导地位，捷佳伟创、金辰股份也推出了相关产品。
目前，HJT 设备 4 大环节均已实现国产化。国内电池设备厂商（迈为股份、捷佳伟创、金辰股份、 钧石、理想）已纷纷在 HJT 不同工序环节布局，实现小批量订单销售，推动 HJT 电 池行业加速前进。
HJT 技术壁垒高、成本优化空间大，只有将设备做到极致的企业能最终胜出。行业可能类似 PERC 时代，形成 2-3 家寡头垄断的竞争格局。
重点异质结设备相关上市公司:
迈为股份(PERC 丝网印刷+HJT 电池片设备);
捷佳伟创(PERC+HJT+TOPCon 电池片设备);
金辰股份(光伏组件设备;HJT+TOPCon 电 池片设备);
上机数控(异质结 N 型硅片切片机+异质结薄片化 N 型硅片)